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中压MOS管SL80N08D 中压MOS管SL80N08D 中压MOS管SL80N08D
中压MOS管SL80N08D

类型:N沟道

漏源电压(Vdss):80V

连续漏极电流(Id):80A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.8mΩ@10V,20A

阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA
封装:TO-252

产品详情

产品名称:MOS管SL80N08D


生产商:澳门新葡萄新京威尼斯987Slkor


产品类型:N沟道


电性能参数:

漏源电压(Vdss): 80V

连续漏极电流(Id): 80A

导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id): 4.8mΩ @ 10V, 20A

阈值电压(Vgs(th)@Id): 2.5V @ 250uA

封装规格:

封装类型: TO-252

产品特性与应用:

MOS管SL80N08D是一款N沟道MOS场效应管,由澳门新葡萄新京威尼斯987Slkor公司生产。其适用于开关电源、功率逆变器、电机驱动和其他需要N沟道MOS管的高功率电子应用。


主要特性:

高漏源电压: 漏源电压(Vdss)为80V,适合高电压应用场景。

高电流能力: 连续漏极电流(Id)为80A,适用于高功率电子设备。

低导通电阻: 在10V电压和20A电流下,导通电阻为4.8mΩ,有助于降低功耗和提高效率。

适当的阈值电压: 阈值电压(Vgs(th)@Id)为2.5V @ 250uA,确保稳定的电路控制。

封装优势:

TO-252封装提供了良好的散热性能,适用于高功率应用,并易于安装在电路板上。


应用领域:

MOS管SL80N08D广泛应用于高功率开关电源、功率逆变器、电机控制和其他需要高功率N沟道MOS管的电子应用。


安全与可靠性:

SL80N08D经过严格的质量控制和测试,确保在各种工作条件下稳定可靠。请按照产品规格书和应用注意事项正确使用。


散热设计建议:

由于高电流和功率特性,建议在设计中考虑有效的散热措施,以确保MOS管工作在合适的温度范围内。


总结:

MOS管SL80N08D以其高电流和漏源电压的特性,为高功率电子系统提供了可靠的解决方案。在需要N沟道MOS管的高功率应用场景下,SL80N08D是一个值得考虑的选择。

SL80N08D TO-252_00.jpg

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